Elektronikjätten Samsung har nu avslöjat att man tagit nästa steg i utvecklingen av sina OneNAND-minneskretsar. Med hjälp av 30-nanometerteknik har man utvecklat ett 8Gb minneschip som använder sig av singel-level-cell NAND flashteknik. Det som skiljer OneNAND från vanligt NAND flashminne är primärt prestandan där SLC-tekniken gör det möjligt för minneskretsarna att nå överföringshastigheter på 70 megabyte per sekund, runt fyra gånger högre än vad vanliga NAND flashkretsar mäktar med idag.
Med en ökad lagringsdensitet på 8Gb per chip har Samsung även gjort det möjligt för smartphonetillverkare att få in en större mängd minne i sina produkter. Samtidigt som den höga prestandan ska vara passande för den allt mer krävande mobila marknaden.
Samsung menar att OneNAND tar fördelarna från NOR och NAND flash och sammanför dem i en produkt. Snabba läshastigheter från NOR och hög lagringskapacitet från NAND tekniken.
De första produkterna med Samsungs nya 30nm 8Gb OneNAND flashkretsar väntas komma ut under andra halvåret 2010. Mer information om Samsungs OneNAND teknik finns att hitta här.
