Tillverkare rustar inför introduktionen av minnesstandarden DDR5 och nu har Samsung presenterat moduler med hela 512 GB kapacitet och en hastighet på totalt 7,2 Gbps.
I samband med Hot Chips 2021 tog Samsung tillfället i akt och presenterade nya resultat i utvecklingen av den kommande minnesstandarden DDR5. Tillverkaren visade upp moduler där man använt sig av åtta staplade TSV (Through Silicon Via)-kretsar. Detta en rejäl skillnad från dagens DDR4-minnen där Samsung använder sig av fyra staplade kretsar. Dessa nya kretsar är även tunnare än de som används idag vilket ska ha lett till att de nya staplarna endast är en millimeter tjocka. Något som innebär att dessa är 0,2 millimeter tunnare än dagens staplar med endast fyra kretsar.
Något som förmodligen är mer intressant för gemene man är den prestanda man lyckats få fram ur DDR5 än så länge. En av dessa staplar med åtta kretsar motsvarar totalt 32 GB minne. För en hel modul med dessa staplar har Samsung då kunnat ta fram RDIMM/LRDIMM-moduler med hela 512 GB kapacitet. Något som med stor sannolikhet inte kommer att bli vanligt förekommande på konsumentmarknaden men för servrar är detta ett rejält kliv framåt.
Samsungs minnen är även märkbart effektiva. Vid en spänning på 1,1 V kunde man skrämma upp minneshastigheten till 7,2 Gbps. Enligt tillverkaren ska dessa moduler med 512 GB vara redo för massproduktion framåt slutet av 2021. Däremot förväntar man sig inte att DDR5 kommer att anammas av den generella marknaden förrän någon gång 2023 – 2024.
Klart står dock att det görs goda framsteg i utvecklingen av framtidens internminnen. Då DDR5 inte kommit till marknaden ännu finns det även goda förutsättningar för att vi kommer att se ännu högre prestanda från standarden i framtiden.
