HBM-minne blev aldrig någon större succé i konsumentprodukter men i produkter för datacenter och entusiaster frodas det och nu har Samsung visat upp målen man vill nå med sitt kommande HBM4e-minne.
Samsung har nu bekräftat fler detaljer om nästa generations High Bandwidth Memory (HBM). Företaget siktar på att pressa minnet ordentligt med hastigheter på över 13 Gbps per pins och en total bandbredd på massiva 3,25 TB/s. Det vill säga omkring 150 procent snabbare än dagens HBM3e. Detta medans energiförbrukningen ska sänkas med mer än 50 procent.
Anledningen till den massiva ökningen i bandbredd sägs till viss del vara Nvidia. Nvidia sägs ha bett minnestillverkare om ännu högre hastigheter än de JEDEC satt för HBM4-standarden. Detta för att kunna få ut så mycket som möjligt ur företagets kommande Vera Rubin AI-accelerator.
Storskalig produktion av vanliga HBM4 med en maximal per-pin hastighet på 11 Gbps sägs inledas sent 2025. Exakt när HBM4e kommer hitta sin väg ut i superdatorer och andra maskiner återstår dock att se.
