Samsung fortsätter att leda NAND flash marknaden framåt och man har nu i ett pressmeddelande tillkännagivigt det första 32Gb chipet som tillverkats med 40nm teknik. Det nya 32Gb chipet använder sig av en ny arkitektur för att optimera tillverkningseffektiviteten och även kraftigt öka prestandan. Tekniken kallas Charge Trap Flash (CTF) och använder sig av en ganska simpel struktur vilket gör själva kontrollporten i chipet betydligt mindre än i den nuvarande Floating Gate-arkitektur som Toshiba utvecklade redan 1989. Detta gör det möjligt att i framtiden förbättra tillverkningstekniken markant och Samsung pratar redan om 30nm och 20nm chip.
De nya 32Gb NAND flash minneschipen kan användas i minneskort med en lagringskapacitet på hela 64GB vilket onekligen ger ganska massivt lagringsutrymme för att vara av Solid State-modell. Samsung säger att man kan skala de nya CTF NAND flash kretsarna till 20nm och 256Gb vilket skulle göra det möjligt att skapa riktigt ordentliga lagringskapaciteter även med NAND flash-minne. Utan tvekan något man behöver uppnå för att få Solid State hårddiskar att bli ett seriöst alternativ på marknaden.
