Samsung har nyligen meddelat att man tillverkat den första prototypen av en ny minnesteknik kallad PRAM. PRAM står för Phase-change Random Access Memory men Samsung har varit så framåt att man även gett minnestekniken ett smeknamn, Perfect RAM. Att man talar så högt om sin nya minnesteknik kan man nästan förstå när man hör hur Samsung tagit fram PRAM som ett framtida substitut för flashminne. PRAM-arkitakturen ska erbjuda liknande överföringshastigheter som RAM och samtidigt kan det lagra data även utan kontinuerlig strömförsörkning (även kallat non-volatile) precis som dagens flashminne.
Enligt Samsung ska PRAM vara upp till 30 gånger så snabbt som vanligt flashminne och nyckeln till detta ska vara att arkitekturen tillåter återskrivning av data utan att man först behöver radera tidigare skriven information. PRAM ska även vara extremt stryktåligt och förväntas ha 10 gånger så lång livstid som flashminne.
“PRAM will be a highly competitive choice over NOR flash, available beginning sometime in 2008. Samsung designed the cell size of its PRAM to be only half the size of NOR flash. Moreover, it requires 20 percent fewer process steps to produce than those used in the manufacturing of NOR flash memory.”
Vi ser onekligen fram emot att se mer av Samsungs PRAM-arkitektur och de första chipen väntas alltså dyka upp någon gång under 2008 och då i form av 512Mb chip. Betydligt högre lagringskapacitet än vad Freescales MRAM-chip erbjuder med liknande egenskaper.
