Minnestillverkaren Samsung har nyligen presenterat en ny minnesteknik som ska göra det möjligt att tillverka 1 terabits flashchip genom att använda dagens minneskretsar tillsammans med en nyutvecklad 3D-design. Man utökar nämligen minneschipets lagringsdensitet genom att stapla flera minneskretsar ovanpå varandra och på detta sättet öka minneskapaciteten samtidigt som den använda ytan är densamma. Samsungs nya tillvägagångssätt kan göra det möjligt att skapa Solid State-enheter med betydligt högra lagringskapacitet med samma format som i dagsläget. En så länge är tekniken bara i prototypstadiet men Samsung påpekar att man borde kunna kommersialisera tekniken ganska snabbt eftersom den i grund och botten använder sig av vanlig två-dimensionell lagringsteknik.
Essentially, a single layer of flash is analogous to a parking lot: electrons fill up memory cells much as cars fill up parking spots. Adding another layer of silicon increases the data capacity just as a two-story parking garage can hold more cars than a one-story parking garage can.
Läs mer om Samsungs 3D-flashchip på TechnologyReview.
