IBM fortsätter att utveckla sin kretstillverkning och efter att man nyligen tillkännagivigt sin nya cacheminnesteknik baserad på DRAM-minne är det nu dags för nästa steg. IBM hävdar i sitt senaste pressmeddelande att man tagit Moores Lag till den tredje dimensionen och med det syftar man på hur man tillverkar sina datachip. Tekniken kallar man “trough-silicon vias” och gör det möjligt att packa kretskomponenter betydligt tätare och effektivare än tidigare. Detta möjliggörs helt enkelt genom att man inte bara breder ut komponenterna horisentalt på i kretsen utan även “staplar” krets komponenter på varandra i en tredje dimension.
The new IBM method eliminates the need for long-metal wires that connect todays 2-D chips together, instead relying on through-silicon vias, which are essentially vertical connections etched through the silicon wafer and filled with metal. These vias allow multiple chips to be stacked together, allowing greater amounts of information to be passed between the chips.
IBM har redan stora planer för sin nya tillverkningsteknik och bland annat deras Power-processorer och Blue Gene superdator kommer att ta del av tekniken. De första testkretsarna med through-silicon vias tekniken ska dyka upp under andra halvan av 2007 och produktionsexemplar någon gång under 2008.
