Samsung har nu annonserat att de gjort framsteg som gör det möjligt att stapla minneskretsar ovanpå varandra. Samsung använder sig av tekniken “through silicon via” (TSV) för att stapla 4 stycken 512MBit DDR2-kretsar ovanpå varandra för att skapa ett “wafer-level-processed stacked package” (WSP) om 2Gbit. IBM annonserade tidigare att man använt sig av samma teknik för att skapa kretsar som breder ut sig i tre dimensioner. Sett i det långa loppet gör TSV det möjligt för Samsung att tillverka enskilda moduler med upp till 4GB lagringskapacitet. Hemligheten ligger i att man istället för att använda ledare mellan minneskretsarna skär genom det yttersta kisellagret med laser och sedan fyller detta hålrum med koppar så att kretsarna kan placeras direkt mot varandra och därigenom kommunicera.
Samsung har lyckats arbeta sig runt de prestandaproblem som yttrat sig när man använt denna teknik tidigare genom att inkapsla WSP i aluminium. Allt som allt är detta en ganska avancerad process vilket vi misstänker också kommer återspeglas i priset.
