Phase Change RAM som PRAM egentligen står för har även kallats “perfect RAM” sedan minnestekniken visades upp första gången 2005. Redan under 2006 kunde vi berätta mer om PRAM som mer eller mindre är en hybrid av flashminne och DRAM. PRAM har liknande prestanda som DRAM samtidigt som det likt flashminne kan behålla data även utan strömförsörjning. Med andra ord kan PRAM ersätta flashminne som bland annat används i Solid State Drives och då Samsung lovar 30 gånger så hög prestanda som för vanliga flashminneskretsar är det inte svårt att förstå vilka möjligheter det finns med PRAM.
Redan under 2008 pratade Samsung om att man skulle börja masstillverka de nya PRAM minneskretsarna under första halvåret 2009 och nu ska det vara bekräftat att de första PRAM-kretsarna ska börja tillverkas i Samsung fabriker under juni månad.
Tillverkade med 65nm teknik ska de 512Mb stor PRAM-chipen användas flitigt i mobila enheter som mobiltelefoner och andra produkter som kan dra nytta av snabba datahastigheter.
Även om PRAM knappast kommer att vara särskilt billigt när det dyker upp är det oundvikligt att inte se potentialen för denna minnesteknik. Även om det första målet för PRAM är att ersätta NOR flashminne kan även NAND flashminne vara inom räckhåll.
Solid State Drives med PRAM-teknik skulle kunna bli något riktigt i hästväg. Tyvärr måste både densiteten ökas samt tillverkningskostnaderna sänkas innan det blir aktuellt, men vi måste ju får drömma.
Källa: CDR Info
