Samsung har nu avslöjat att man påbörjat tillverkning av 64Gb 3-bit NAND flashkretsar med ny 20nm-klassad tillverkningsteknik. Detta gör det möjligt att inte bara sänka tillverkningskostnaderna för flashminneskretsarna men även öka lagringsdensiteten på framtida produkter.
Samsung har tidigare påpekat att deras 3-bit MLC flashkretsar är primärt utvecklade för SD-minneskort och andra inte fullt så krävande produkter. Men i sitt pressmeddelande talar man även om hur de nya kretsarna kan användas i SSD-enheter samt smartphones, något som skulle göra det möjligt att kraftigt öka lagringskapaciteten på dessa marknader.
Jämfört med vanliga 2-bit MLC Flashkretsar som används i dagens apparater ger de nya 3-bit kretsarna 50% högre lagringsdensitet, utan att vi räknat med vinsten av den effektivare tillverkningstekniken.
“By now entering into full production of 20nm-class 64Gb 3-bit devices, we expect to accelerate adoption of our high-performance NAND solutions that use Toggle DDR technology, for applications that also require high-density NAND.”
De nya minneskretsarna har till skillnad mot Samsungs 30nm-tillverkare 3-bit MLC flashkretsar (32Gb) även stöd för Toggle DDR 1.0. Något som borgar för högre överföringshastigheter.
tack Samsung 🙂