Samsung är en av världens ledande tillverkare av flashminne, något de nu markerar ytterligare genom att inleda massproduktion av V-NAND, eller Vertical NAND, där minneskretsarna kan staplas verikalt för 128 gigabit, eller 16 gigabyte, per chip.
Tidigare idag skrev vi om den potentiellt konkurrerande minnestekniken RRAM från Crossbar vars stora fördel i skalbarhet är att kretsarna kan staplas inuti minneskapseln. Staplade kretsar är i sig ingenting nytt, men för flashlagring har det lyst med sin frånvaro åtminstone vad gäller produktion i större skala för konsumenter.
Nu inleder Samsung massproduktion av sin Vertical NAND, eller V-NAND-teknik. Med tekniken har Samsung lyckats stapla 24 minnesceller i ett minneschip för totalt 128 gigabit lagringsutrymme per chip. I mer konsumentvana termer innebär det 16 gigabyte per chip. Det är i klass med den TLC-NAND som används i bland annat företagets egen 840 Evo-SSD, men med högre skalbarhet.
Man påpekar även att tekniken ska leda till mellan 2 och 10 gånger pålitligheten hos traditionell NAND-flash och dubbla skrivprestandan. Skalbarheten ska enligt Samsung vara fördubblad i och med den extra dimensionen att konstruera modulerna i, vilket blir en av de viktigaste egenskaperna när flashtillverkare kämpar mot bieffekterna av aggressiv processkrympning.
Samsung uppger att man med tekniken lagt grunden för att arbeta sig närmare kretsar med 1 terabit lagringsutrymme längre fram, det vill säga 128 gigabyte per modul. Det innebär att lagring i terabyte-termer i exempelvis mobiltelefoner nu inte ligger allt för långt borta allt eftersom mindre tillverkningsprocesser tas i bruk.
Exakt när vi kan tänkas se tekniken i bruk är oklart, men att döma från tidigare lanseringar av ny flashteknik kan de ske redan innan årsskiftet men även dröja till 2014.
Källa: Samsung
Intressant, men lite många “n” i inuti och lite många “m” i döma.
T.o.m snabbare än DDR4 som börjar på 2133mhz. Mäktigt!