Nyligen utannonserade Samsung att de skulle inleda masstillverkning av sin 3D V-NAND-tillverkningsteknik och blickarna riktas nu mot konkurrenten Toshiba, som nu uttalat att masstillverkning av deras egen 3D-NAND bör inledas under första halvan av 2014.
Under en presskonferens igår kom tillverkningen av Toshibas 3D NAND-teknik BiCS, ett akronym för bit-cost scalable, på tal. Företagets VD Hisao Tanaka fick frågan gällande när massproduktionen skulle inledas, en väldigt aktuell fråga i och med Samsungs snabba expansion på flashmarknaden och utannonseringen av deras V-NAND-teknik och dess masstillvekrning.
Som svar på frågorna finns ännu ingen exakt tid för masstillverkningen av minnestekniken, men Tanaka uttrycker att den kommer inledas någon gång under slutet av räkenskapsåret 2013, som avslutas i mars 2014, eller början av räkenskapsåret 2014.
Inte helt överraskande uttrycker man sig positivit angående sin konkurrenskraft mot Samsungs alternativ, och Tanaka utlovar att Toshibas BiCS-teknik kommer ge en kretsyta som inte kommer kunna matchas av konkurrenterna. Samtidigt ber man pressen att inte se Toshiba som ett halvår bakom Samsung i tillverkningen.
“We will realize a chip size (area) that can never be surpassed by our competitors. Please do not consider that Toshiba is half a year behind Samsung in terms of volume production.”
– Hisao Tanaka, VD Toshiba Corp
Innan lanseringen av BiCS planerar Toshiba att få rullning på sin 1ynm- och 1znm-tillverkningsprocess, och man räknar även med att inleda en tillverkningsteknik ett steg modernare än sin aktuella 19-nanometersteknik innan en lansering.
I och med tillverkningstekniska svårigheter med traditionell NAND räknar Toshiba med att övergå helt till 3D NAND efter att 1ynm och 1znm lanserats, någon gång under 2015.
Källa: Tech On
