Förutom Samsungs nya flaggskepps SSD, 950 Pro, så har man också avslöjat mer info om deras kommande 48-lager V-nand på 256 Gigabit. Vi kommer bland annat att få se minneskretsarna i nuvarande 850 Pro och 850 Evo serierna som fördubblar sin maximala lagringskapacitet till imponerande 4 Terabyte.
Under gårdagens pressevent på Samsung SSD Global Summit i Seoul, så avslöjades Samsungs nya toppmodell 950 Pro. Men förutom det så passade företaget också på att visa upp lite av nya företagsmodeller men framförallt så pratade man lite mer om 3:e generationens V-nand.
V-nand är Samsungs “3d-nand” som är den nya generationen av nandflash. Istället för att minska tillverkningstekniken för att få mer kapacitet, så lägger man på fler lager ovanpå varandra Under Flash Memory Summit för några månader sedan presenterade Samsung nästa generations V-nand (3:e generationen). Dessa minnsekretsar har hela 48 lager och kommer att erbjuda en kapacitet på 256 gigabit, motsvarande 32 gigabyte. Det betyder att man kan få högre kapacitet med befintliga kontrollerkretsar men det betyder också att man kan få lägre kostnad per gigabyte och det betyder billigare SSD-enheter för oss konsumenter.
Nu har Samsung avslöjat sina närmaste planer för V-nand. Först och främst så kommer man att göra en förändring i marknadsföringen och alla de enheter som använder V-nand kommer att få en märkning med texten “Powered by Samsung V-nand”. Detta gäller befintliga produkter (såsom 850 Pro och Evo) men också framtida produkter.
Samsung fördubblar kapaciteten till 4 terabyte i januari
Samsung kommer på sikt också att ersätta det v-nand som används idag med de nya 48-lagers versionen, med start i januari 2016. Det betyder att 850 Pro och 850 Evo kommer att kunna öka sin lagringskapacitet till 4 terabyte. Det betyder också att man kommer att byta minneskretsar i enheterma, utan att ändra namnet, vilket är något som vi inte är så förtjusta i. Samsung försäkrar oss att det inte kommer vara någon skillnad i prestanda och kanske till och med bättre prestanda med de nya minnena, men vi är tveksamma. Större minneschip betyder färre minneschip för att nå en viss kapacitet. Det betyder färre nand-enheter att dela upp belastningen över och borde i teorin kunna orsaka prestandaförluster i vissa fall. Det kan vara så att endast 1TB, 2TB och 4TB kommer använda de nya minneskretsarna och tack vara dess stora antal minneschip bör då prestandan vara oförändrad. Vi får helt enkelt vänta och se och vi återkommer när vi själa kunnat testa.
1 terabyte i M.2 och mSATA format
Förutom 2,5-tums serierna så kommer även 850 Evo M.2, 950 Pro M.2 och 850 Evo mSATA att uppdateras med de nya minneskretsarna. Det betyder att vi kommer få se 1TB version av 950 Pro och 850 Evo M.2, samt 850 Evo mSATA i januari tillsammans med de övriga modellerna i programmet.
Samsung passade också på att presentera nya SSD-enheter för enterprisemarknaden. Den mest intressanta är nog deras PM1725 som använder sig av 8 PCI-Express banor. Det är ett PCI-Express HHHL kort (samma som Intel 750) som använder TLC och V-NAND för att nå en kapacitet på 6,4 terabyte. Enhetens prestanda är det heller inget fel på då man kan läsa sekventiellt i 5 500 megabyte per sekund eller skriva i 1 800 megabyte per sekund. Slumpmässig läshastighet ligger på mäktiga 1 miljon IOPS och slumpmässig skrivning på något blygsammare 120 000 IOPS.
Glöm inte att hålla utkik efter vår recension av 950 Pro som kommer att dyka upp inom kort. Då hoppas vi också ha lite med detaljer kring Samsungs kommande SSD-enheter och uppdateringar av SSD-mjukvaran Magician som sägs dyka upp i oktober.
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
