Även om transistorkrympning nu förutspås komma till vägs ände ska lagringskapaciteten i SSD-enheter fortsätta skala där konsumentenheter väntas nå 12TB inom 4 år.
De största SSD-enheterna i 2,5-tums format på marknaden idag har en lagringskapacitet på 4 terabyte. I skrivande stund är det endast Samsung som lanserat en traditionell konsumentenhet med denna kapacitet och detta med företagets 48-lagers V-nandflashminne på 256 Gbit. Medan vi enligt ITRS inte väntas se någon större krympning av transistorstorleken de närmaste 15 åren, troligtvis går vi från dagens 15 nanometer till 12 nanometer år 2030.
Trots att transistorn, som är byggstenen för nandflash och andra digitala kretsar, inte kommer att bli mindre ska lagringskapaciteten i nandflashr fortsätta att skala. ITRS förutspår att lagringsdensiteten per nandflashkrets ska nå 768 Gbit fram till år 2020 och skala vidare till 4 terabit per krets fram till år 2030. Detta ska ske genom 3d-nandflash i upp till 512 lager med 3 bit (TLC) per lagringscell – samma minnesteknik som används idag.
Denna utveckling inom nandflash skulle, om kontrollerkretsar och drambuffrar inte blir flaskhalsar, ge SSD-enheter för konsumenter med 12TB lagringskapacitet redan år 2020 och hela 64TB kapacitet år 2030. Det ska samtidigt påpekas att det under tidens gång kan komma behöva hittas lösningar på ökad effektförbrukning och andra oförutsedda hinder på vägen.
Samsung 850 Evo är den idag största konsumentenheten på SSD-marknaden med totalt 4TB lagringsutrymme i ett 2,5-tums format.
Rubrik
