April 17, 2005
AMD och IBM har nu gått ut med ett pressmeddelande där man förklarar hur man tänkt konkurrera med Intels nya 45nm tillverkningsteknik. Intel har redan börjat tillverka testprocessorer med sin nya teknik och även om AMD och IBM menar att deras egen teknik inte kommer att dyka upp förrän år 2008 så är det med några nya teknologiska inslag som man hoppas ska göra tillverkningstekniken extra slagkraftig. Den nya 45nm processen kommer att använda sig av immersion litography och ultra-low-K transistorer. Det senare är ett sätt för AMD och IBM att hålla nera strömförbrukningen på sina kretsar trots att prestandan ökar.
Immersion litography ska enligt företagen göra det lättare att utveckla 45nm kretsar och i grund och botten har man tillsatt destilerat vatten för att öka kretsarnas prestanda och tillverkningseffektivitet. AMD hävdar att man sett prestandaökningar på runt 15% hos SRAM kretsar genom att använda sig av denna tillverkningsteknik.
At the International Electron Device Meeting (IEDM) today, IBM (NYSE: IBM) and AMD (NYSE: AMD) presented papers describing the use of immersion lithography, ultra-low-K interconnect dielectrics, and multiple enhanced transistor strain techniques for application to the 45nm microprocessor process generation. AMD and IBM expect the first 45nm products using immersion lithography and ultra-low-K interconnect dielectrics to be available in mid-2008.
1 Guest(s)