Forskare i Storbritannien stoppar strömläckage|Arkiverade nyheter|Forum|Nordichardware

De som följer processortillverkarnas arbete och deras strävande efter nya tekniker är medvetna om att allt inte är frid och fröjd när man går krymper tillverkningstekniken. Intel fick reda på detta när man gav sig på utvecklingen av sin 90nm Prescott-kärna. 90nm-tekniken hade svåra problem med strömläckage vilket både ökar strömförbrukningen och processorernas värmeutveckling. Även om Intel sedan dess fått bättre pli på sina tillverkningstekniker blir risken för strömläckage större varje gång man krymper tillverkningstekniken. Nu verkar det dock som at forskare i Storbritannien har hittat ett sätt att drastiskt sänka strömläckaget hos transistorer i datachip.

"Zhi Chen, associate professor of electrical and computer engineering, found that applying rapid thermal processing directly on gate insulators – used to control current flow of transistors in computer chips – can dramatically reduce the chips' leakage current and correspondingly the power consumption. In fact, the technique can improve the insulating qualities of gate insulators so that their direct tunneling current is reduced by 10,000 to 100,000 times. No effect was found if rapid thermal processing was not directly applied on the gate insulators."

Forskarteamet väntas lägga fram sina upptäckter i en rapport som ska presenteras den 7-9 december på International Semiconductor Device Research Symposium. Denna upptäckt kan vara mycket viktig för framtida processorutveckling och vi hoppas få höra mer om detta inom kort.

Källa: EurekAlert!