Intel och Numonyx gör genombortt med fasminnesteknik|Arkiverade nyheter|Forum|Nordichardware

Fasminne eller så kallat Phase Change Memory är en av få icke-flyktiga lagringstekniker som väntas kunna ta upp kampen med HDD-tekniken de närmsta tio åren. Inte bara rent prestandamässigt där HDD-tekniken redan är omsprången av många statiska minnestekniker, utan även sett till lagringskapacitet och pris/gigabyte. När en undersökning nyligen publicerades var just PCM-tekniken en av de som visade sig mest lovande men man behövde här utöka lagringskapaciten per cell, där nu Intel och Numonyx gjort ett genombrott.

Numonyx är det företag Intel skapat tillsammans med STMicroelectronics just för att driva utveckling och tillverkning av flashminne. Ett samarbete som nu börjar bära frukt på allvar när man meddelar att man demonstrerat ett 64Mb stort fasminne som använder sig av flera lager PCM-arrays inom samma krets.

For the first time, researchers have demonstrated a 64Mb test chip that enables the ability to stack, or place, multiple layers of PCM arrays within a single die. These findings pave the way for building memory devices with greater capacity, lower power consumption and optimal space savings for random access non-volatile memory and storage applications.

Genom flera lagringslager öppnas det upp möjligheter för Intel och Numonyx att utöka lagringskapaciteten, samtidigt som man bibehåller fasminnets fördelaktiga prestanda. PCM-tekniken ger både högre läs- och skrivhastigheter än dagens NAND flashteknik, samtidigt som tillförlitligheten är betydligt högre.

The results show the potential for higher density, scalable arrays and NAND-like usage models for PCM products in the future. This is important as traditional flash memory technologies face certain physical limits and reliability issues, yet demand for memory continues to rise in everything from mobile phones to data centers.

Intel kommer att presentera mer information om sitt genombrott under 2009 års International Electron Devices Meeting i Baltimore. Detta kommer ske den 9 december i form av ett dokument kallat "A Stackable Cross Point Phase Change Memory".

[Image Can Not Be Found] Phase change memory jämfört med andra statiska minnestekniker