Ny minnesteknik 500 gånger snabbare än flash!|Arkiverade nyheter|Forum|Nordichardware

Att flash-minne börjar bli en allt mer attraktiv teknik för långtidslagring av data är det ingen tvekan om och även om solid state hårddiskar har många fördelar mot de mekaniska modeller vi använder idag finns det även nackdelar. Prestandan hos flash-minne är det inte direkt något fel på men jämfört med till exempel SRAM-kretsar är det milsvid skillnad och det är något tre halvledartillverkare tagit fasta på. Företagen som drivs av IBM, Matronix och Qimonda har nu nämligen presenterat en ny modell av den minnesteknik som Samsung tidigare lanserat under namnet PRAM (Phase-change Random Access Memory).

Samsungs PRAM hävdades ge 30 gånger så hög prestanda som vanligt flashminne vilket inte är fy skam, men IBM, Matronix och Qimonda hävdar att deras PRAM modell är över 500 gånger så snabb som flashminne, vilket är minst sagt imponerande. Utöver den enorma prestandaökningen ska kretsarna bara kräva hälften så mycket ström för att lagra data som flashminne. Huvudpoängen med PRAM är att man kraftigt ökar dataöverföringen hos lagringskretsarna samtidigt som att datan kan lagras i kretsarna även när de inte matas med någon spänning.

But Richard Doherty, an analyst at the research firm Envisioneering Group, characterized the disclosures as the biggest research advance in chips he has seen so far in the decade. Among other things, he predicts designers of microprocessors could place much more data storage on their chips, reducing the delays of fetching data from chips elsewhere in a computer. "It clearly changes the economics of storage," he said.

PRAM ser riktigt lovande ut och i dagsläget är det största problemet själva tillverkningen av kretsarna som måste förbättras inför en massproduktion. Samsung väntas lansera sina första PRAM kretsar under 2008 men när denna trio av halvledartillverkare släpper sin modell av PRAM är ännu oklart. Men då de första prototyperna tillverkats i 20nm teknik känns det onekligen som en krets för framtiden.