April 17, 2005
NAND flashminne är oerhört populärt i dagsläget där man speciellt visat framfötterna på Solid-state-marknaden. Men även om NAND flash är en mycket intressant minnesteknik har den sina begränsningar och Samsung hoppas nu kunna ta lagringstekniken till en ny nivå med så kallade PCM-teknik. Vi har följt utvecklingen av fasövergångsminne under ett par år här på NordicHardware och nu har Samsung avslöjat att man påbörjat masstillverkning av sina första PCM-kretsar.
Som namnet avslöjar lagrar PCM-tekniken data genom att utnyttja materialets olika faser. Det krävs två faser för att lagra en etta resp. en nolla och fasminnen växlar mellan amorf och kristallin form för detta ändamål.
Precis som flashminnen är fasminnen helt utan rörliga delar men till skillnad mot den nuvarande lagringstekniken behöver man inte förlita sig på en laddning utan kan behålla sin form, och då även sin data, även när enheten är avslagen. Vilket även gör fasminnen snabbare och strömsnålare än flashminnen.
Fasminnen ändrar sin fas genom att värmas upp av en ström och sedan kylas ner i olika hastigheter för att anta sin kristallina resp. amorfa fas. Medan flashminnen får det svårare ju mindre kretsarna blir, på grund av att elektroner börjar läcka ur transistorerna, kan PCM-tekniken påverkas positivt och man har redan testat minnesceller tillverkade med 20nm teknik.
Samsung nya 512MB PCM-chip är fortfarande lite för små för att ta sig in flashminnestekniken på allvar, men redan i nästa generations mobiltelefoner kan vi komma få se fasminnen i sina första konsumentprodukter.
För den som vill veta mer om PCM-tekniken har tillverkaren Numonyx publicerat en videointroduktion till tekniken.
[Image Can Not Be Found]
Källa: ScientificAmerican
1 Guest(s)