SanDisk och Toshiba lanserar 56nm 16Gb NAND Flash minne|Arkiverade nyheter|Forum|Nordichardware

SanDisk och Toshiba har bestämt sig att på allvar ge sig in i NAND Flash-marknaden och nu har man i ett pressmeddelande avslöjat att man är på väg att gå över till en ny tillverkningsteknik för sina multi-level cell (MLC) flashkretsar. I dag använder man sig av 70nm teknik i sin 300mm tillverkningsfabrik, Fab 3, som huseras av Toshiba i Japan. Men nu kommer man att påbörja tillverkningen av MLC NAND Flash-kretsar med 56nm teknik och man förväntar sig att få ut de första produkterna med dessa kretsar redan under första halvåret 2007. Genom sin MLC design och den nya tillverkningstekniken påstår man att man är marknadsledande vad gäller lagringsdensitet.

Man har nämligen planerat att lansera enkel-chip på 8Gb (1 Gigabyte) av MLC NAND Flash-modell tillverkad med den nya 56nm tekniken under första kvartalet. Redan under andra kvartalet planerar man att fördubbla lagringsdenstiten för dessa kretsar till 16Gb (2 Gigabyte) vilket även är en fördubbling av lagringsdensiteten jämfört med de kretsar tillverkade med 70nm teknik.

The technology and design advances will help enable SanDisk products to offer approximately twice the improvement in write performance compared to the 70nm generation. We are pleased with the joint development of 56nm advanced technology with Toshiba, and expect it to become a production workhorse in Fab 3 during the second half of this year.

SanDisk och Toshibas framfört gör att vi ser fram emot mer prisvärda NAND Flash-kretsar under året som i sin tur skulle betyda att SanDisk kan bredda sitt sortiment av SSD hårddiskar både med högre lagringskapacitet och lägre priser.