IBM har nu annonserat att de kommer arbeta tillsammans med Samsung, Infineon och Freescale för att skapa en ny 32nm tillverkningsprocess. Samarbetet är en fortsättning på de 90, 65 och 45nm-projekt som rönt stora framgångar och den nya processen kommer användas för allt från små mobila kretsar till att designa nya superdatorer. Den nya tekniken beräknas vara i bruk under 2010 och ska underlätta OEM-bruk av de nya kretsarna genom gemensamma tekniker, men även möjlighet att flera företag att tillverka identiska kretsar för att underlätta för kunderna då större mängder kan produceras totalt, och av olika företag.
The five companies will work together to deliver industry-leading technology for high-performance and low-standby power products through:
- a focus on low cost and minimum complexity while retaining performance leadership
- implementation of new materials such as high-k/metal gate, advanced stress engineering, and extreme low-k films in the back-end-of-line (BEOL)
- state-of-the-art immersion lithography to achieve competitive density and chip size
- a focus on quality analog models for the digital communications marketplace
- providing a platform for derivative technologies such as RF CMOS and embedded DRAM, or eDRAM
In addition, by using common manufacturing electrical specifications across manufacturing platform partners, technologies can more easily be transferred between partner facilities.
