Intel satsar på mer cacheminne i processorer

2
cache

Intel har alltid varit glada i att förse sina processorer med relativt stora cacheminne för att få optimal prestanda i sina mikrokretsar. Nu har processorgiganten utvecklat en teknik som ska göra det möjligt att få plats med än mer cacheminne, tack vare 22nm tillverkningsteknik.

Problemet med cacheminne är att de ofta täcker en väldigt stor del av kretsarna yta och att mängden cache helt enkelt begränsas av kretsens storlek. Nu menar Intel att man nått nya framsteg för hur hög densitet man kan få på sina minneskretsar. De nya Floating Body Cell kretsarna tillverkas med 22-nanometer teknik och skulle kunna ersätta de 6-transistor SRAM celler som används idag.

Intel har nu börjat testa tillverkning av sina 22nm FBC-kretsar på samma kiselplattor som används vid masstillverkning idag. Något som visar att de nya kretsarna nu även börjar få rimliga tillverkningskostnader jämfört med tidigare då man använt dyrare SOI (Silicon on insulator) kiselplattor.

När och i vilka processorer vi kan tänkas få se den nya FBC-tekniken återstår att se, men då Intels kommande arkitektur Sandy Bridge får nöja sig med mindre cacheminne än dagens motsvarighet lär Intel jobba hårt för att få till en ny effektivare lösning. När man nu bakar in grafikkretsen i samma kisel som CPU börjar det helt enkelt bli ont om plats.

Källa: X-bit Labs

Subscribe
Notifiera vid
2 Comments
äldsta
senaste flest röster
Inline Feedbacks
View all comments
Martin L
14 Årtal sedan

Hmm, jag har lite svårt att få grepp om den här FBC-tekniken. Om jag förstår det hela rätt så liknar det SDRAM mer än SRAM i och med att man “stänger in” en laddning istället för att låsa en återkoppling. Skillnaden är att man stänger in laddningen i en liten isolerad ficka istället för att ladda upp en kondensator.

Betyder det här att minnet behöver refreshas kontinuerligt eller håller sig laddningen tills man skriver över den? Och vad snackar vi om för hastigheter?

Någon mer lite mer information i ämnet?