Intel har redan idag kommit en bra bit på vägen med deras strömsnåla processorer sedan man bestämt sig för att överge NetBurst-arkitekturen i och med den kommande lanseringen av Core-arkitekturen. Hur som helst finns det alltid förbättringar att göra och nu säger Intel att man lyckats ta fram en teknik som skapar betydligt effektivare transistorer benämnda “tri-gate transistorer”. Med denna teknik i kommande processorchip väntar sig Intel antingen kunna öka prestandan med 45% eller sänka strömförbrukningen med 35% jämfört med deras nuvarande 65nm transistorer.
Intels teknik väntas förlänga livslängden i Moores-lag som säger att antalet transistorer i kretsar kommer fördubblas ungefär vartannat år. Det lär dock dröja ett antal år innan Intel kan få in tekniken i sina processorer och vi kan nog vänta oss att få se tri-gate transistorerna runt år 2010 i Intels 32nm eller 22nm tillverkningstekniker.
“A tri-gate transistor is a component in the standard complementary metal oxide semiconductor design, but acts as a better “traffic cop” to control the flow of electrons, surrounding each wire on three sides instead of just one.”
