På minnesmarknaden är devisen, desto mindre transistorer desto högre lagringsdensitet, ganska välkänd. Men möjligheten att klämma in mer lagringsutrymme på samma givna yta är bara en av fördelarna med trimmade transistorer. Tillverkningskostnaderna per gigabyte sjunker också vilket i slutändan ger oss större och billigare minnesmoduler. När nu Micron och Nanya meddelar att man börjat tillverka 2Gb DDR3-minneskretsar i kopparbaserad 42nm teknik kan vi snart skönja 16GB minnesmoduler på horisonten.
De nya minneskretsarna som är specificerade till att arbeta i 1866MHz kommer att börja masstillverkas under andra halvan av 2010 och produkter för både den mobila och stationära marknaden står på agendan. Matningsspänningen till minneschipen sänks till 1,35V som standard vilket ska ge upp till 30 procent lägre strömförbrukning i vissa fall.
Faster memory speed grades are important for achieving maximum system performance. By shrinking process technology, the new 2Gb 42nm DDR3 device delivers improved memory performance capable of reaching up to 1866 megabits per second. In addition, the small die size coupled with the 2Gb density of the 42nm DDR3 device enables modules up to 16GBs.
Redan idag säger sig Micron lyckats få till minneskretsar tillverkade med 3Xnm teknik i sina testlabb, där just koppar metalliseringen är en av nycklarna i tillverkarens framsteg.
