Nanotuber är ett område ett flertal företag har siktat in sig på och det pågår en hel del forskning i området. Vi har tidigare rapporterat om det tyska företaget Nantero som tillverkat ledarbanor på ner till 22nm med dessa. Då handlade det om att använda nanotuber med SRAM och DRAM, men nu har forskare vid University of California gjort framsteg för hur man skulle kunna använda nanotuber i NVRAM (Non-volatile Random Access Memory), en minnestyp som inte tappar sin information när man tar bort strömmen, exempelvis flashminnen. Den stora fördelen med nanotuber är deras storlek och snabbhet i jämförelse med vanliga kiselbaserade ledare.
Forskarna har använt sig av av en variant som kallas multi-walled CNT. Man har alltså använt sig av en större nanotub med en mindre tub, som är stängd i bägge ändar, inuti och genom att det inre röret rör sig mellan två kontaktytor så kan man skapa olika ledningar.
“We have demonstrated that the two telescoped positions of the double-walled carbon nanotube, (b) and (c) in above figure, are both stable, and the switching time from one position to the other is as short as 0.01 nano-seconds/…/This finding leads to a promising potential to build ultrafast high-density nonvolatile memory, up to 100 gigahertz or into the terahertz range. Realization of ultrafast high-density nonvolatile memory units will bring a broad range of applications in electronics.”
:: Läs vidare hos nanowerks
:: Originalartikeln i Nanotechnology 9 (7 March 2007)
