Dagens NAND Flash-minne som används som lagring i USB-stickor, smartphones och SSD:er har redan nåt den gräns då den börjar bli för svår att applicera på nya tillverkningstekniker. Toshiba ser ut att bli först i världen med att producera en ersättare till minnestekniken, med hög kapacitet.

Toshiba kommer under 2013 börja testa NAND Flash-minne på 128 och 256 gigabit motsvarande 16 och 32 gigabyte, som ska utnyttja sig av så kallad 3D-stacking. Staplingen av kretsar ska uppgå till 16 stycken per minneskapsel, vilket skulle innebär kapaciteter på upp till 256 och 512 gigabyte i vad som utåt ser ut som en ensam krets. Ingenjörsexemplar ska skeppas under 2014 och massproduktion av dessa högdensitetsminnen följer år 2015. Vad som är intressant är att Reram ska följa samma produktplaner, som företagets 3D-NAND kapacitetsmässigt.

Reram (Resistiv Random-Access Memory) är nära besläktat med Memristor, en teknik HP i årtionden pratat om kan ersätta både NAND och DRAM, de minnestyperna som används idag för lagring och RAM-minne. Tekniken ska ha en hållbarhet på ett antal miljoner skrivcyklar, någonting som kan jämföras med ungefär 3 000 till 5 000 skrivcyklar på NAND-minnen i 20 nanometerklassen. Arbetsfrekvensen väntas också ligga på en nivå som kan konkurrera med RAM-minnen.

New-TechNy teknik krävs för att fortsätta driva ned priserna. Bildkälla: The Memory Guy

Toshiba har Reram på 64 gigabit färdigt, men som tidigare nämnt ska tekniken följa samma produktplaner som företagets NAND-teknik sett till kapaciteten. Då Reram erbjuder överlägsen skrivprestanda har företaget för avsikt att använda det som cacheminne och till SSD-enheter. Toshiba tror sig kunna erbjuda ytterligare två krympning av deras NAND-teknik, innan den inte längre än konkurrenskraftig. Därefter väntas just tekniker som Reram bli den universella ersättare.

Toshiba kommer leda Reram-racet, enligt BSN arbetar övriga minnestillverkare på högvarv och ”överkompenserar” för att erbjuda en konkurrerande lösning i tid. Vad vi kan konstatera i och med denna nyhet, är att nästa generations lagringsminne ligger runt hörnet.


Relaterade artiklar:

1
Leave a Reply

Please Login to comment
1 Comment threads
0 Thread replies
0 Followers
 
Most reacted comment
Hottest comment thread
1 Comment authors
flopper Recent comment authors
  Subscribe  
senaste äldsta flest röster
Notifiera vid
flopper
Medlem
flopper

spännande.