Samsung presenterar nu en ny roadmap för halvledare som petar fram 3 nm ett år och fyller i glappet med både en ny 5 nm- och 4 nm-version. 3 nm kan dock göra debut tidigare i Samsungs egna produkter.
Samtidigt som delar av PC-branschen fortfarande väntar på de första högpresterande komponenterna som baseras på 5 nm-teknik, närmar sig nu 3 nm-halvledare. IBM var nylien först ut med att visa en wafer baserad på företagets version av 3 nm-teknik. Även TSMC sägs förbereda sin produktion inför nästa år med Apple och Intel som de första stora kunderna. Nu meddelar Samsung hur företagets plan ser ut för 3 nm-halvledare.
3 nm internt 2022, till kunder 2023
På Foundry Forum 2021 i Kina presenterade Samsung sin nya roadmap för kommande halvledarteknik. Den nya planen gör det klart att den breda produktionen av 3 nm-teknik kommer att försenas med ett år. Det betyder att företagets kunder inte kommer att få tillgång till tekniken förrän 2023. Då planerar Samsung att starta massproduktion av så kallad 3GAP-teknik. Innan dess planeras 3GAE, med produktion som börjar 2022. 3 nm gate-all-around early (3GAE) är inte del av Samsungs publika roadmap. AnandTech rapporterar att det sannolikt beror på att den tidiga 3 nm-tekniken exklusivt kommer att användas av Samsungs egna produkter och inte säljas till andra kunder. För Samsungs offentliga och breda produktion är det alltså 2023 som gäller. Det är också då kunder såsom Nvidia i teorin först skulle kunna använda halvledarna.
Innan det är dags för 3 nm-produktion har Samsung planer för flera övergångstekniker. 5LPP and 4LPP presenterades på konferensen som nya tekniker för företaget. De lanseras i år respektive nästa år och baseras på samma typ av FinFET-teknik som Samsung förlitat sig på de senaste generationerna. Den kommande 3GAP-tekniken baseras på Gate-All-Around (GAA), som löser fysiska problem som FinFET har vid den storlek som halvledarna nu börjar nå.
Leave a Reply