Halvledargiganten Samsung Electronics har idag avslöjat att man tillverkat de första NAND flashminneskretsarna med världsledande 20 nanometers teknik. Minneskretsarna som primärt är ämnade för minneskort av Secure Digital (SD) format och integrerade lösningar är baserade på MLC NAND teknik. Varje krets har en kapacitet av 32 gigabit och nästa mål är att anpassa minneskretsarna för bland annat smartphones och högpresterande minneskort.
In just one year after initiating 30nm-class NAND production, Samsung has made available the next generation node 20nm-class NAND, which exceeds most customers requirements for high-performance, high-density NAND-based solutions, kommenterade Soo-In Cho, chef för Samsungs minnesavdelning
Samsung menar att den nya tillverkningsprocessen inte bara ger möjlighet att öka lagringsdensiteten utan även kommer med prestandahöjande teknik. Skrivprestandan i Samsungs nya 20nm tillverkade SD-kort är 30 procent högre än motsvarande produkter tillverkade med 30nm teknik.
Minneskort med den nya tekniken kommer att finnas med lagringskapaciteter på mellan 4GB upp till 64GB och testexemplar skeppas ny till Samsungs kunder.
