Genom att öka lagringskapaciteten från 2-bit till 3-bit i en MLC NAND minnescell kan man på ett bräde öka den faktiska lagringsdensiteten med inte mindre än 50%. Dagens USB-minnen och SSD-enheter använder sig av 2-bit MLC teknik men nu har Samsung meddelat att man börjat masstillverka 3-bit MLC NAND kretsar och det med en helt färsk 30nm teknik. Genom att både öka lagringsdensiteten och minska tillverkningstekniken har man möjlighet att sänka kostnaden per gigabyte markant.
Tyvärr verkar Samsungs första 3-bit kretsar vara något omogna för krävande applikationer som solid-state-enheter där minnescellerna används mer frekvent. De första 30nm 3-bit MLC chipen ska istället användas för att skapa 8GB microSD-kort, tillsammans med Samsungs egen 3-bit NAND flashkontroller.
Three-bit MLC NAND increases the efficiency of NAND data storage by 50 percent over today’s pervasive 2-bit MLC NAND chips. Samsung’s new 30nm-class 3-bit MLC NAND will provide consumers with effective NAND-based storage that can be applied to USB flash drives in addition to a range of micro SD cards.
Både 3-bit och 4-bit MLC kretsar kommer slutligen att börja användas på solid-state-marknaden och då kan vi se fram emot betydligt lägre kostnad per gigabyte samt mer lagringsutrymme. Något som är SSD-teknikens akilleshäl idag.
