Utvecklingen av minnesstandarden HBM3 fortskrider och lanseringen kommer allt närmare. Nu har tillverkaren SK Hynix detaljerat vad vi har att förvänta oss sett till specifikationerna för den kommande generationen.
Nästa generations High Bandwidth Memory (HBM) som ska ta över efter HBM2E har nu fått sina första specifikationer detaljerade. Enligt tillverkaren SK Hynix ska det röra sig om både högre överföringshastigheter, kapaciteter och förbättringar till värmehanteringen.
Till att börja med ska HBM3 erbjuda en I/O-hastighet på 5,2 Gbps vilket är en ökning på 44 procent jämfört med HBM2E. Detta leder i sin tur till en högre minnesbandbredd som nu hamnar på någonstans över 665 GB/s. Även denna specifikation är 44 procent högre än hos HBM2E som erbjuder maximalt 460 GB/s.
När det kommer till minneskapaciteten ska den första upplagan av HBM3 vara väldigt lik dagens High Bandwidth Memory som består av kretsar med 16 GB kapacitet (åtta kretsar på 2 GB/st staplade på varandra). Denna siffra förväntas dock öka till dess att specifikationerna har färdigställts.
SK Hynix har även lagt tid på att förbättra värmehanteringen. Här ska tillverkaren ha landat på 36 procent bättre värmeavledning jämfört med HBM2E. Detta ska enligt produktsidan leda till temperaturer som är i genomsnitt 14 grader lägre än hos dagens HBM-minne när dessa har jämförts under samma belastning.
Exakt när vi kommer att se denna nya generation av HBM återstår att se. Ytterligare detaljer angående dess specifikationer kommer förhoppningsvis att offentliggöras inom kort. HBM3 förväntas lanseras någon gång under nästa år och dyka upp i en rad produkter under de kommande åren. Produkter som Nvidias Hopper-baserade beräkningskort, AMD:s kommande CDNA-enheter och även Intels framtida arbetshästar ur Xe HPC-familjen.
