Jakten på nyare tillverkningstekniker fortsätter, och Common Platform har nu börjat diskutera deras 14 nanometersteknik öppet. Vad vi ser är att industrin kommer gå över till 3D-transistorer, och SOI kan komma att bli en ny industristandard.
Common Platform är ett samarbete mellan IBM, Samsung och GlobalFoundries som går ut på att samarbeta för att nå nya tillverkningstekniker och att förbättra det de redan har. Vad en gemensam plattform också innebär, är att deras kunder kan byta från en fabrik till en annan mellan de olika företagen. De har nu diskuterat framtiden och vad som komma skall efter 20 nanometerstekniken.
Vid 14 nanometer kommer två nya tekniker att börja användas. Den första är så kallade 3D-transistorer, eller mer korrekt FinFET, någonting som Intel introducerar på deras 22 nanometersteknik. De kommer att kombinera denna teknik med FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator), för ännu lägre strömläckage och bättre transistordensitet. Vi ser hur det här kan bli en stor utmaning för Common Platform, då de kommer börja använda FinFET och det svårt bemästrade SOI på en helt ny tillverkningsteknik. SOI leder i början av en ny tillverkningsteknik ofta till dåliga yields (procent fungerande kretsar ur wafers), då det tryck som behöver tillämpas på en wafer kan krossa transistorerna. Men FD-SOI ska vara lättare att implementera än dagens PD-SOI (Partially Depleted Silicon-on-Insulator) sett till yields, då man med FD-SOI inte utsätter sina wafers för samma tryck som med PD-SOI.
“Fenan” i FinFET-transistorn till höger leder till lägre strömläckage
Samtidigt kommer man med denna tillverkningsteknik att tillämpa så kallade stacking, eller stapling av kretsar. Även detta medför stora utmaningar, fast då efter tillverkningen av kretsarna, då varje krets måste kunna valideras och testas individuellt innan de staplas på varandra. Common Platform väntas introducera sin 14 nanometersteknik till sina kunder under 2014/2015, och vi skulle säga att det sistnämnda årtalet är mer troligt.
Källa: BSN*, Solid State Technology
Relaterade nyheter:
- AMD är inte redo att dumpa SOI för enklare tillverkning – än
- Intel introducerar 3D-transistorer med 22nm för lägre strömförbrukning
- Intel har börjat bygga världens första 14nm-fabrik
- ARM och TSMC accelererar utvecklingen av 20nm
- ARM och TSMC trycker ut Cortex-A15 MPCore på 20nm
- TSMC satsar på 14nm 2015, tillsammans med 450mm wafers
- GlobalFoundries diskuterar framtida tillverkningsnoder, har ett fortsatt engagemang till SOI
Låter som det inte kommer var den mest smidiga övergången. Men bra att dom sammarbetar så det inte handlar om vem som har bäst fabriker utan det är vem som kan konstruera bäst cpuer.
Verkligen inte, jag tror att vi kan räkna med problem redan i förväg. Men att Samsung, IBM och GlobalFoundries har sitt nära samarbete betyder förhoppningsvis någonting 🙂
Även den mycket optimistiska (enligt mig) tidsramen antyder att avståndet från Intels världsledande fabriker kommer minska i framtiden.
Det här samarbetet känns ganska självklart med tanke på hur avancerat det nu kommer bli med kretstillverkning med så pass små avstånd mellan transistorerna. Lite intressant är det även att man väljer att vänta till 14nm. Intels metod att börja med FinFET redan på 22nm känns lite smartare eftersom man kan prova ut tekniken på en något mindre avancerad nod. Men ett samarbete som detta kräver förmodligen mer förberedelse för att alla företagen ska vara med på noterna innan man kommer igång.