Ett japanskt forskningslag har utvecklat en ny typ av NAND-flash som har en drivspänning på endast 1V. Detta innebär bland annat lägre strömförbrukning men också möjligheten till betydligt högre skrivhastigheter. Detta är möjligt tack vare en minnesteknik som kallas FeRAM (Ferroelectric RAM). Tanken är att FeRAM eller Fe-NAND, som forskarna vid AIST kallar det, ska ersätta dagens NAND flashminne som bland annat används i solid-state-enheter.
Byggt kring ferroelektriska fälteffekttransistorer har tekniken en kristallstruktur vars atomer placerar sig på vissa sätt beroende på hur de exponeras mot elektriska fält.
Dessa förändringar är permanenta och minnet behöver därför inte matas med en konstant laddning som DRAM behöver. Detta gör det lämpligt att använda i SSD-enheter och andra lagringsprodukter. Enda gången som minnet drar ström är när den faktiskt skriver och läser data. Detta ger möjligheten till väldigt låg strömförbrukning.
Spänningen för att driva den här typen av minnen är inte alls lika hög som vi är vana vid. Skulle man kombinera hundratals av dessa minneskretsar och köra dem parallellt så skulle man i teorin kunna tillverka SSD-enheter som skriver upp till 10GB/sek, något forskarna hävdar är teoretiskt möjligt. En annan fördel är att dessa går att programmera om betydligt fler gånger än “vanliga” NAND-flash. Vi hoppas bara att någon hinner utveckla en snabb minneskontroller lagom tills dessa nya minnen är redo för massproduktion.
Källa: TechOn
