Test: Samsung 750 Evo 250GB – Marknadens snabbaste budget-SSD

Samsung 750 Evo 250GB

Prestandamässigt och prismässigt så är 750 Evo placerad något under 850 Evo som nu blivit Samsungs mellanklassalternativ. För att kunna sänka kostnaden så använder man alltså inte V-Nand utan istället Samsungs 16 nm 2D-Nand som givetvis kommer med något sämre prestanda och livslängd. Med det så har man också sänkt garantitiden till 3 år. I hjärtat av SSD-enheten så har man valt att använda sin egen MGX-kontroller som också används i 850 Evo. De två mindre modellerna använder en något nerbantad version av MGX som endast har två CPU-kärnor (500GB använder en vanlig MGX med 3 kärnor).

Till skillnad mot många andra budgetmodeller så saknar inte 750 Evo några funktioner som sina mer påkostade bröder har. Vi har exempelvis fullt stöd för TCG Opal 2.0 och IEEE1667 (vilket ger E-drive stöd). Man har också stöd för Turbowrite (Samsungs SLC-Cache) och Rapid.

Då 750 Evo är tänkt som en budgetenhet så är 500GB den största modellen. För den som behöver en större modell så är det 850 Evo som gäller. Idag testar vi mittenmodellen på 250GB, men vi hoppas även få möjlighet att testa 120GB- och 500GB-modellerna vid ett senare tillfälle.

Utseendemässigt så är enheten nästan identisk med 850 Evo och man kan inte se skillnad på dem om man inte tittar på texten på baksidan. Inuti så hittar vi ett kompakt kretskort med endast tre IC-kretsar. Detta är en del i Samsungs försök att pressa priserna så mycket som möjligt. Samsung har nämligen bakat in DRAM-kretsen direkt i kontrollern och det gör att man kan spara ytterligare genom att ha färre kretsar och mindre logik, vilket också gör kretskortet mindre.

Minneschippen har artikelnummer K9OKGY8S70 och är innehåller 8 stycken av Samsungs 128Gbit 16 nm TLC-Nand-enheter. Två av dessa chip ger oss totalt 1 024 gigabit eller 256 gigabyte.

Platt TLC ger sämre livslängd

En av de stora nackdelarna med TLC-NAND är dess sämre livslängd. Samsung har satt ett TBW värde på 70 terabyte för 250GB-modellen, vilket motsvarar ungefär 65 gigabyte om dagen i tre år. Det är det värdet som garantin ska täcka. Men vi var intresserade av att veta hur många PE cykler som skulle krävas för att Samsungs smartdata skulle reagera. Så vi skrev sekventiell data till enheten och beräknade hur mycket data vi kunde skriva innan 1% av enhetens beräknade livslängd, hade förbrukats. Det visade sig inte vara så jättemycket och vi fick fram att vi enheten hade kommit till 0% efter 431 cykler. Då får man givetvis räkna med att metoden inte är perfekt och att Turbowrite och wear leveling spelar en viss roll, men det ger också en viss indikation på hur Samsung vill positionera dessa enheter och vad Samsungs 16 nm-minnen klarar av.

*840 Evo testade vi aldrig, men flera andra källor har sagt att värdet ska vara runt 1000.

Observera att i verkligheten så kommer enheten klara av betydligt mer än detta. Detta är till för att vara en indikation. Samsung 840 Evo ska bara klara 1 000 cykler, men i vårt SSD-dödartest så har den klarat över 1 800 TB med data, vilket är närmare 7 000 cykler. Läs gärna mer om vårt SSD-dödartest här.