Toshiba sägs nu vara beredda att satsa hårt mot nya tillverkningstekniker för NAND flashminnen. Intel kommer under fjärde kvartalet att lansera sina första solid-state-enheter med minneskretsar tillverkade i 28 nanometer men Toshiba försöker nu se ännu längre. Man har planer på att investera motsvarande 1,1 miljarder kronor i byggandet av en testproduktionslinje för NAND flashkretsar tillverkade med mindre än 25 nanometer.
Toshiba menar att även om hoppet från 28nm ner till lägre ~20nm teknik kan se litet ut på papper är det en omställning som kräver ultraviolett litografi med kortare våglängder, något som kräver ny utrustning och uppgradering av fabriker.
Uppgraderingen verkar vara planerad i Toshibas Fab 4 fabrik, vilket skulle bli vid sidan av den redan planerade Fab 5 i samma område.
Toshiba har redan investerat i specialutvecklad utrustning från en holländsk firma och hoppas att masstillverkning av kretsar med ~20nm teknik ska komma igång under 2012. Något som kommer öppna upp för större och billigare solid-state-enheter.
Källa: PC Mag
