NAND flashminne fortsätter att hitta nya marknader samtidigt som solid-state-disk marknaden kan bli den riktiga nyckeln för minnestekniken. Förutom ett högre pris har SSD enheter en klar nackdel mot vanliga mekaniska hårddiskar, nämligen lagringskapaciteten. Nu verkar det som att Toshiba utvecklat en ny NAND flashteknik som kan vara ett steg mot nya högdensitetenheter. Det handlar om en så kallad 3D minnescellstruktur som staplar flera minneskretsar på varandra för att skapa en större krets med högre densitet som fortfarande inte täcker en större yta. Staplingstekniker inom flashminnesutvecklingen är ingen nyhet men enligt Toshiba har man gjort stora framsteg inom detta område.
Existing memory stacking technologies stack two-dimensional (2D) memory array on top of another, repeating the same set of processes. While this achieves increased memory cell density, Toshiba said this solution makes the manufacturing process longer and more complex. The new array does increase memory cell density, is easier to fabricate, and does not produce much increase in chip area, as peripheral circuits are shared by several silicon pillars, the company explained.
Huvudsaken är att man i slutändan får fram NAND flashminneschip med högre lagringsdensitet med samma storlek som tidigare kretsar. Detta gör det möjligt att skapa NAND flashenheter med större lagringsvolym, något som speciellt skulle passa SSD-marknaden.
