MRAM är en av många tekniker som förutspåtts kunna bli en global ersättare för en stor mängd olika minnestyper. Nu avslöjar Toshiba att de tagit fram MRAM med lägre strömförbrukning än SRAM, den minnestyp som oftast används som cacheminne i processorer.
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) är ett icke-flyktigt minne som varit under utveckling i många år och ses som en potentiell ersättare till DRAM, NAND och SRAM som används i RAM-minnen, SSD-enheter respektive cacheminne i processorer. Det är alltså en teknik som ska kunna kombinera det bästa från alla världar med både hög prestanda och densitet.
Skillnaden med MRAM är att man istället för att låsa elektronerna i en minnescell så kontrollerar man åt vilket håll strömflödet snurrar runt en minnescell. Beroende på åt vilket håll elektronerna snurrar representerar det en etta eller nolla. Till skillnad från DRAM eller SRAM, så klarar MRAM av att hålla en ladning utan extern strömtillförsel precis som NAND-minne och hållbarheten ska dessutom vara mycket högre.
Ett av problemen med MRAM är att strömförbrukningen varit högre än konkurrerande lösningar vid skrivning av ny data. En vidareutveckling blev STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory) som skapar ett vridmoment vid skrivningar som kan överföras till ett närliggande lager minnesceller. Toshiba säger sig nu ha utvecklat en modell av STT-MRAM som för första gången kan slå strömeffektiviteten i SRAM (Static Random Access Memory), den minnestyp som traditionellt sett används som cacheminne i processorer.
Toshiba kallar själva utvecklingen för ett genombrott då strömförbrukningen ska ligga på en tiondel mot tidigare prototyper. Toshiba har dock ingen färdig produkt att visa upp med det nya STT-MRAM-minnet, utan resultaten kommer från en “avancerad och precis” processorsimulator. Toshiba ska i sina simuleringar fått ned strömförbrukningen på en mobilprocessor med hela två tredjedelar när de använt sitt nya STT-MRAM.
Det framgår inte när vi kan få se mobila systemprocessorer som använder sig av Toshibas STT-MRAM. Företaget hoppas på att få minnet integrerat i framtida systemprocessorer, vilket skulle påskynda utvecklingen och ytterligare förbättra tekniken.
