Western Digital säger sig vara första i världen med nandflashminne staplat i 64-lager och flaggar för rejäla ökningar i lagringsdensitet med sina nya minneskretsar.
Western Digital har i ett samarbete med Toshiba utvecklat en ny generation 3d nand-flashminne som kan stapla hela 64 lager av minnesceller i en och samma krets. Att jämföra mot marknadsledaren Samsung och dess 48-lagers v-nandflash som används i 4TB-modellen av Samsung 850 Evo.
WD och Toshibas TLC (Triple Level Cell) BiCS3-flash, som minnet döpts till, kommer initialt levereras med samma 256 Gbit-densitet som Samsung erbjuder med sitt v-nand. Man rår trots sina flera lager inte heller på densitetsledaren Intel/Micron som idag erbjuder som mest 384 Gbit per krets med sina 32-lagers TLC-minneskretsar. WD påpekar samtidigt att man kommer att skala sin lagringsdensitet till 512 Gb per BiCS3-krets framöver, vilket skulle göra kretsarna de mest lagringseffektiva hittills.
WD och Toshibas framsteg borgar för både större och mer kostnadseffektiva flashlagringsprodukter som SSD-enheter, USB-minnen eller för den delen vissa grafikkort.
De första BiCS3-kretsarna ska börja skeppas till OEM-partners under det tredje kvartalet medan det för konsumentmarknaden ska dröja tills fjärde kvartalet. De första färdiga produkterna på butikshyllorna med BiCS3-nandflash väntas dyka upp under första halvåret 2017.
Bild: Peellden
