Crucial MX100 512GB i test – Nytt rekord i gigabyte per krona

Micron 128Gbit 16nm NAND

Målet med MX100 (precis som med M500) är inte att ta tillbaka prestandatronen utan istället ge användare så mycket lagringsutrymme per krona som det överhuvudtaget är möjligt. Samtidigt som man inte tummar allt för mycket på prestanda och funktioner. Samsungs svar i det här segmentet är 840 Evo som använder TLC-minne tillsammans med 128Gbit NAND-enheter. TLC innebär att man lagrar 3 bitar per minnescell, medan MLC endast lagrar 2 bitar. Detta gör att man kan lagra 30 procent mer på samma yta (till samma materialkostnad) och Samsung är för närvarande den ända tillverkaren som har TLC-baserade SSD-enheter till försäljning. Trots det så har Crucial och M500 kunnat matcha Samsungs priser och i många fall faktiskt haft märkbart lägre. Detta kan närmast förklaras med att Samsung hel enkelt tar ut större vinstmarginaler på sina enheter än vad Crucial gör.

Förutom att lagra fler bitar i varje minnescell så finns det bara ett sätt att minska tillverkningskostnaden för NAND-flash (och därmed även möjligheten att sälja enheterna billigt) och det är att minska tillverkningstekniken. Vi känner igen detta från grafikkort och processormarknaden där vi vet att mindre tillverkningsteknik alltid är bättre. När det gäller NAND-flash så finns fördelar och nackdelar med att använda mindre tillverkningsteknik. Fördelarna är att du får in mer kapacitet på samma mängd kisel, vilket betyder billigare tillverkning. Nackdelen är att prestandan ofta blir sämre och att livslängden på minnescellerna går ner. Än så länge så har man dock lyckats kompensera detta väl med snabbare kontrollerkretsar och avancerad firmwareprogrammering och ECC (Error Correcting Code).

När IMFT (Intel Micron Flash Technologies) släppte deras 20 nanometers celler så var det de minsta i världen. Även om Toshiba och Sandisk hade minnesceller som låg på 19 nanometer så var inte dessa symetriska. De var i själva verket 19 x 26 nanometer, vilket gjorde att Microns 20 nanometer NAND var billigare än Toshiba/Sandisk 19 nanometer. Sedan dess har Toshiba/Sandisk släppt andra generationens 19 nanometer NAND som faktiskt mäter  19×19,5 nanometer så det var dags för IMFT att kontra med deras purfärska 16 nanometer NAND. Än så länge så vet vi inte mycket om dessa kretsar men vi vet att man använder samma High-K material som man använde vid tillverkningen av sina 20 nanometer kretsar. Detta är teknologi som även Intel använder vid tillverkning av sina processorer och det gör det möjligt att krympa kretsarna ytterligare. IMFT vill inte heller avslöja NAND-enhetens storlek eller för den delen hur många skrivningar som de nya kretsarna klarar av. Man nöjer sig helt enkelt med att säga att det är i samma klass som deras 20 nanometer NAND (vilket borde vara ungefär 3 000).

Det har även pratats om att IMFT kommer att krympa tillverkningen en gång till och då troligtvis ner till någonstans mellan 10 och 15 nanometer. Efter det så är det näst intill omöjligt att krympa mer och då måste det till en större förändring hur NAND tillverkas. Troligtvis kommer vi att få se någon form av 3D-NAND (där man staplar flera celler ovanpå varandra). Toshiba och Sandisk kommer troligtvis att gå ner till 15 nanometer först innan man går över till 3D. Samsung däremot har redan 3D-NAND i massproduktion. Så frågan är om de ens kommer att gå ner till 15 nanometer eller om de helt går över till 3D-NAND direkt.