MJX och 64-lager NAND
Ny kontroller – Samsung MJX
Samsungs kontrollerkretsar har historiskt varit väldigt bra. Sedan MDX lanserades i samband med 840 Pro så har Samsung alltid legat i toppen prestandamässigt. Samsungs kontrollerkretsar har alltid följt samma recept och man har alltid använt samma kraftfulla kretsar även i billigare modeller (exempelvis 750 Evo) och man har helt skippat tanken på att köra med färre NAND-kanaler och utan DRAM. Samsungs kontrollerkretsar består av 2 eller 4 ARM Cortex R4 processorer. På vägen så har Samsung uppgraderat sina kretsar och ökat klockfrekvenser och optimerat tillverkningsteknik för att hålla kretsarna relevanta.
| Kontroller | MCX | MDX | MEX | MGX | MHX | MJX |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Arkitektur | ARM 9 (ARMv5) | Cortex R4 (ARMv7) | Cortex R4 (ARMv7) | Cortex R4 (ARMv7) | Cortex R4 (ARMv7) | N/A |
| Antal kärnor | 3 | 3 | 3 | 2 | 3 | 3 |
| Klockfrekvens | 220 MHz | 300 MHz | 400 MHz | 550 MHz | 400 MHz | N/A |
| Max DRAM | 512 MB LPDDR2 | 1GB LPDDR2 | 1GB LPDDR2 | 512MB LPDDR3 | 2GB LPDDR3 | 4GB LPDDR4 |
| Produkter | 830 | 840, 840 Pro | 840 Evo, 850 Evo, 850 Pro | 750 evo, 850, 850 Evo | 850 Evo, 850 Pro | 860 Evo, 860 Pro |
Senaste generationen av Samsungs kontroller heter MJX. Tyvärr så vet vi inte så mycket om den och Samsung säger ingenting trots upprepade försök att få mer detaljer. Om vi ska spekulera lite så handlar det troligtvis om en uppdaterad MHX som fortfarande bygger på tre stycken ARM Certex R4-kärnor. Vad vi vet med säkerhet är att den nya kontroller har samma stöd för kryptering som tidigare. Vi vet också att den nya kontrollern har fått stöd för LPDDR4 på upp till 4 GB och därmed möjliggör enheter på upp till 4 TB lagring.
Generation 4 V-NAND med 64 lager
850 Pro var den första konsument produkten som använde 3D-NAND, minneskretsar där man bygger på höjden istället för att minska storleken på transistorerna. Då handlade det om Samsung andra generation V-NAND (Samsungs namn på deras 3D-NAND). Då hade man 32 lager staplade på varandra och varje NAND-enhet kunde lagra 86 Gbit MLC eller 128 Gbit TLC. 860 Evo använder Samsungs senaste generation V-NAND och nu har man staplat 64 lager på varandra och varje NAND-enhet kan lagra 256 Gbit eller 512 Gbit TLC. Detta är i klass med konkurrenterna som, precis som Samsung, precis lanserat sitt 3D-NAND med 64 lager.
Den nya generationen kan lagra samma mängd data på 30% mindre yta jämfört med förra generationen. Det betyder att minneskretsarna är billigare att tillverka och det ger mer utrymme för att sälja enheterna billigare i framtiden. Man har även minskat spänningen från 3,3 V till 2,5 V vilket ska ge ungefär 30% lägre strömförbrukning. De nya kretsarna har en programmeringstid på ungefär 500 mikrosekunder vilket är 50% snabbare än tredje generationens V-NAND. Allt detta borde göra att de nya minneskretsarna är snabbare, billigare och har högre densitet.
Samsung har faktiskt gjort en DRAMlös SSD även om den är praktiskt taget okänd, och som heter 650.
Med 860 EVO – kan ni testa hur många P/E cykler den har?
Om den är specificerad för 2000 som 850 EVO eller om det har blivit ännu högre nu.
Hej. Yes Samsung hade 650 ute på vissa marknader men jag tror aldrig jag sett någon i Sverige. Den verkar även bara funnits under en kort period. Men visst har du rätt 🙂
Jag hoppas kunna få in 250GB modellen av 860 Evo under de närmaste veckorna. När jag får den så kan jag göra ett PE-test på den och se om det fortfarande är 2000 som gäller.
Vissa värden är så låga att den röda stapeln inte syns i vissa diagram. Varför inte markera var den testade disken befinner sig? Det är så många namn att leta mellan. Ser lite klent…
…
Varför inte markera alla SATA-diskar med fet stil, kursiv stil eller annan färg så man vet vilka som är vilka utan att behöva kontrollera själv.
Hej Stefan.
Du har rätt i att det finns mycket vi skulle behöva göra med diaramen för att göra dem tydligare. Jag ska även se om jag inte kan göra förbättringar på de diagram vi har idag. Tack för din feedback.
Kul. Gillar vad ni gör!
🙂