Intels stora nyhet idag handlade om deras nya tillverkningsprocess på makalösa 22nm. Förutom att än en gång krympt transistorn har man även designat om den. Intel själva säger att man lagt till en helt ny dimension i transistordesignen och att man arbetat på detta i över ett decennium – men vad betyder det?

Att krympa en processor eller vilken krets som helst kommer med många fördelar som lägre tillverkningskostnad, lägre strömförbrukning och högre prestanda. Nackdelen är att nya tillverkningstekniker blir allt dyrare att forska fram, och strömläckaget ökar för varje gång man krymper transistorerna. Intels 3D-transistor är svaret på detta, eller som Intel säger har man tagit den 3:e dimensionen till transistorn.

När Intel påbörjade utvecklingen av 22nm insåg man fort att använda plana transistorer inte var ett alternativ då de inte fick ut det resultat man hoppats på. Lösningen på problemet var 3D-transistorn som är en gammal teknik, som aldrig använts i praktiken på grund av svårigheterna att implementera detta. Först ska vi väldigt kortfattat och simplifierat ta upp hur detta fungerar.

En transistor kan antingen vara aktiverad eller avstängd, och när den är aktiverad vill man att så mycket elektricitet (elektroner) ska kunna flöda igenom som möjligt och när den är avstängd vill man självklart att så lite som möjligt ska komma igenom. En transistor kan slå av och på flera miljarder gånger i sekunden, tänk er en överklockad processor på 4 GHz, det innebär 4 miljarder av/på-slagningar i sekunden!

Som tidigare nämnt ökar strömläckaget när man krymper transistorer vilket helt enkelt betyder att elektronerna inte vill göra som Intel vill och väljer att inte följa den bestämda bana man lagt ut mellan varje transistor utan åker ur, vilket leder till ökad strömförbrukning och värmeutveckling. Detta är ett problem som blir allt allvarligare för varje gång man krymper transistorer och för att motverka detta har vi flera teknologier som Bulk, Silicon-on-Insulator (SOI), Low-K, High-K (HK), Metal Gate (MG) för att ta upp de mest välkända. Den här gången valde Intel att vända sig till 3D-transistorn för att få bukt med problemet.

Planar_vs_Tri-Gate

Illustrativ bild, 32nm plan-transistor till vänster, 22nm 3D-transistor till höger.

3D-transistorn stänger av och på det elektriska flödet från 3 håll samtidigt som bilden ovan illustrerar för att få bättre kontroll över det och lägre strömläckage. Denna förändring gav Intel mer än 50% lägre strömförbrukning och 37% högre prestanda med låg spänning, kort sagt bättre prestanda/watt. De första processorerna under kodnamnet Ivy Bridge som använder sig av Intels nya tillverkningsprocess finns redan i deras labb. De bjuder även på en kort demonstration av deras nya processorer som dyker upp i början av 2012.

Intels Ivy Bridge-arkitektur är som bekant planerad för lansering under första halvåret 2012 som en ersättare till mellanklassplattformen Sandy Bridge. Processorerna ur Ivy Bridge-familjen använder sig av samma grundarkitektur som i Sandy Bridge, men förutom en ny och effektivare transistorteknik väntas de nya kretsarna föra med sig kraftigare inbyggd grafikdel och bland annat andra generationens Intel Quick Sync teknik.

Källa: Intel

8
Leave a Reply

Please Login to comment
8 Comment threads
0 Thread replies
0 Followers
 
Most reacted comment
Hottest comment thread
6 Comment authors
Jacob HugossonSwedish BerserkSuperNovamitrixTempel Recent comment authors
  Subscribe  
senaste äldsta flest röster
Notifiera vid
Anton Karmehed
Admin

Bara jag som tror att Intel tröttnat på alla läckor och snack om Bulldozer och Llano? 🙂
Ska bli grymt häftigt att följa detta och se vilka fördelar ”3D-transistorerna” gör i konkreta produkter.

Tempel
Medlem
Tempel

Hmm… Känns som man vill lägga alla inköpsplaner på is ett tag nu om nu det går att producera till ett vettigt pris vill säga. Skulle dom göra det ser jag ingen marknad kvar för AMD såvida inte konkurrensverk i världen (läs USA) tvingar Intel att dela med sig av kunskapen.

Med den prestandavinsten gentemot andra tillverkningstekniker så kan ju Intel tom smiska ut nVida och AMD på grafikmarknaden om dom vill.

Svensken
Medlem
Svensken

[quote name=”Anton Karmehed”]Bara jag som tror att Intel tröttnat på alla läckor och snack om Bulldozer och Llano? 🙂Ska bli grymt häftigt att följa detta och se vilka fördelar ”3D-transistorerna” gör i konkreta produkter.[/quote] [quote name=”smartidiot89″][quote name=”Anton Karmehed”]Bara jag som tror att Intel tröttnat på alla läckor och snack om Bulldozer och Llano? 🙂Ska bli grymt häftigt att följa detta och se vilka fördelar ”3D-transistorerna” gör i konkreta produkter.[/quote]Börjar tröttna själv, tur att man inte har pengar att slänga ut i onödan annars skulle ja bränt dom på allt annat än Bulldozer och Llano vid det här laget! 😀 Teknologin… Läs hela »

mitrix
Medlem
mitrix

Ja, Intel vet uppenbarligen vad de pysslar med!

Detta lär väl f.ö leda till ännu en bunt patent de kan håva in multum på att licensera ut till andra halvledartillverkare som har problem att krympa mer (att licensera ut den borde ju också hålla ev konkurrensverk nöjda). I.o.f lär det inte ha varit gratis att utveckla heller, men Intel har ju ej heller problem med vinsterna!

SuperNova
Medlem
SuperNova

Ball teknik men jag vill se lite mera ”praktiska” siffror och resultat. Fördelen är ju som ni säger att man har flera ytor att kontrollera strömmen på. Resultatet blir ju man kan stänga av och på snabbare vid lägre spänning. Så det handlar ju inte om en 37% prestandaökning över hela spectrat bara för man byter transistor. Men prestanda per watt är ju in mycket viktig faktor idag, speciellt på den mobila enheterna. Att Intel sen ligger före AMD när det gäller noderna är ju ingen nyhet. Det tjatas om detta varje dag men det är ju inget nytt. Så… Läs hela »

Svensken
Medlem
Svensken

En sak jag undrar över. Detta ger alltså över 50% lägre strömförbrukning och 37% högre prestanda vid låg spänning. Är detta bara för 3D transistorn eller är detta med krympningen till 22nm inräknat?