Micron har inlett massproduktion på Phase Change Memory för så kallade feature phones, som är fullt kompatibla LPDDR2 och JEDEC:s standarder. Längre fram i tiden planerar företaget producera denna typ av minnen med högre kapaciteter för smartphones och surfplattor.

PCM (Phase Change Memory) även känt som PRAM är en teknik som i framtiden har potential att bli ersättare till NAND Flash då det är icke-flyktigt, vilket innebär att det kan lagra data även när det inte får någon effekt. PCM erbjuder högre prestanda än NAND då enskilda bits kan ändras till en 1 eller 0 utan att ett helt block behöver skrivas om, och väntas likt Memristor att kunna skalas upp i kapacitet att bli en riktig ersättare till NAND.

Livslängden på PCM är markant högre än dagens lösningar, där MLC NAND endast klarar av 3 000 skrivningar ska PCM klara av 100 miljoner. Vad som inte är särskilt relevant för konsumentapplikationer men ändå är intressant så läcker NAND med tiden laddning (elektroner), vilket kan resultera i dataförlust och korrupt data. PCM väntas dock kunna hålla en laddning 300 år, med omgivande temperaturer på 85 grader celcius.

PCM har tidigare demonstrerats, men det är inte förrän nu tekniken är redo för massmarknaden. De första PCM-minnena kommer från Micron i form av LPDDR2 för så kallade feature phones. Med en 45 nanometerteknik ligger kapaciteterna på 1 gigabit och 512 megabit i ett flerchipspaket. Micron planerar dock framöver att erbjuda högre kapaciteter som passar även smartphones och surfplattor. Då PCM är icke-flyktigt skulle det fungera även som lagring, men innan det blir verklighet krävs det att tekniken skalas upp till liknande kapaciteter som NAND.

Enligt Micron erbjuder deras minnen snabbare uppstarter med högre prestanda, lägre strömförbrukning och högre hållbarhet än tidigare lösningar. Det här är inga höga kapaciteter Micron har ett erbjuda, men det får ändå ses som stora nyheter då tekniken efter många års väntan är redo för massmarknaden. Framöver hoppas vi att tekniken kan skalas upp i kapacitet för att bli en riktig ersättare till NAND Flash, och inte bara ett substitut till DRAM.

Källa: Micron


Relaterad nyhet:

Annons

4
Leave a Reply

Please Login to comment
4 Comment threads
0 Thread replies
0 Followers
 
Most reacted comment
Hottest comment thread
4 Comment authors
Jacob HugossonManyhigh-Boris- Recent comment authors
  Subscribe  
senaste äldsta flest röster
Notifiera vid
Medlem
Calle2003

Intressant! Hoppas iPhone 5 och Google Nexus 2 lanseras med denna teknik (tror inte det men man kan alltid hoppas). 😉

-Boris-
Medlem
-Boris-

Alltså en av alla dessa mirakeltekniker som faktiskt verkar komma? 🙂

Manyhigh
Gäst
Manyhigh

Om denna teknik är lämplig för ram och lagring får vi kanske se en sammanslagning utav lagrings- och arbetsminne? Där man kan ändra mängden arbetsminne reserverat mha mjukvara?