Test: WD Blue 3D & Sandisk Ultra 3D – Först ut med BICS 3D-NAND

WD Blue 3D & Sandisk Ultra 3D en närmare titt

Som vi tidigare nämnt så är båda enheterna väldigt lika. Om man bortser från klisterlappen som sitter på ovansidan så är det omöjligt att avgöra vilken som är vilken. Båda enheterna drivs av en Marvells 88SS1074 kontroller. Båda enheterna använder också samma DRAM-krets i form av en Micron D9STQ som är ett 1TB stort DDR3-minne. Denna kombination har vi tidigare testat i form av WD Blue (ej 3D) som använde vanligt 2d TLC-nand. Den stora nyheten här är givetvis Sandisk/WD och Toshibas nya BICS-Nand. Båda enheterna använder 8 stycken minneskretsar som det står Sandisk på och de har artikelnummer 05138 128G. Som namnet antyder så är varje krets på hela 128 gigabyte och vi gissar att man använt sig av Sandisk 256Gbit 64-lager BICS. WD vill inte säga om man använder 256Gbit eller 512Gbit men vår gissning är att det handlar om 256 i dagsläget. Om så är fallet så betyder det att varje chip har totalt 32 nand-enheter på vardera 256Gbit.

BICS har många likheter med V-NAND

När vi först testade Samsungs V-Nand så skrev vi en lång text om hur Samsungs V-Nand fungerar. För er som är intresserade så finns det att läsa i vår artikel om Samsungs 850 Pro. I den texten så förklarar vi hur slitaget på minnesceller kan förstöra dem. För att kunna programmera en cell så ”trycker” man elektroner genom ett isolerande oxidlager på flytgrinden. Problemet är att när man gör det så bildas små defekter i oxidlagret och problemet blir större ju mindre minnescellen är. Om oxidlagret blir för dåligt så kan det inte längre hålla laddning, och cellen blir obrukbar.

Av den anledningen så använder Samsungs V-Nand en teknik som kallas för Charge Flap Flash. Det betyder att istället för att lagra elektroner i flytgrinden så lägger man ett isolerande lager istället och låter elektroner fastna där istället. Det betyder att man kommer runt problemet med defekter i oxidlagret. Det löser inte alla problem men i teorin så ökar det livslängden på minnescellen. Anledningen till att vi pratar om CFT är att BICS använder sig av precis samma metod som V-Nand gör. IMFTs 3D-Nand använder istället traditionella flytgrindar precis som 2D-Nand och IMFT har sagt att det beror på att de känner sig mer bekväma med att använda en teknik som de arbetat med under många år och tror därför att den långa erfarenheten ska hjälpa dem att skala sitt 3D-Nand till fler lager än vad V-Nand och BICS kan göra.

Det betyder att Toshiba/Sandisks BICS är mer likt Samsungs V-Nand än vad det är IMFTs 3D-Nand. Vad som är intressant med det är att vi var lite besvikna på IMFTs minneskretsar. Samsungs var både snabbare och hade betydligt bättre livslängd än 2D-nand. IMFTs hade förvisso bättre livslängd men inte med särskilt mycket. Prestandan var inte heller något märkvärdigt. Vi såg i alla fall inte en märkbar förbättring som vi gjorde med Samsungs V-Nand. Så frågan är då om vi kommer att få se någon förbättring när vi nu har möjlighet att titta närmare på BICS. Vad som gör vårt jobb enklare är att vi redan har testat WD Blue (med vanligt 15nm TLC) tidigare. Det betyder att vi kan jämföra den nya och den gamla enheten rakt av och därmed få en bra indikation på hur bra deras nya BICS egentligen är.